桂林电子科技大学学报

2018, v.38;No.155(02) 87-91

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基于低功耗增强型In_(0.25)Ga_(0.75)As沟道MOSFET器件
An enhancement-mode In_(0.25)Ga_(0.75)As MOSFET for low power application

李海鸥;李跃;李琦;肖功利;马磊;丁志华;韦春荣;

摘要(Abstract):

为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析。实验结果表明:8μm栅长的增强型InGaAs沟道MOSFET器件的关态电流小于1×10~(-8) mA/mm,器件的开关比达到9个量级,说明了降低InGaAs沟道的In组分和提高InAlAs掺杂层中的P型掺杂浓度能够降低器件的关态电流,增大器件电流开关比,从而实现了低功耗的器件性能。

关键词(KeyWords): 低功耗器件;In组分;InGaAs;MOSFET

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(61474031,61465004,61464003);; 广西自然科学基金(2016GXNSFDA380021);; 桂林市科技开发项目(20160216-1);; 桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2016YJCX15)

作者(Author): 李海鸥;李跃;李琦;肖功利;马磊;丁志华;韦春荣;

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