桂林电子科技大学学报

2018, v.38;No.156(03) 183-188

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一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构
A novel SOI LDMOS structure with top current path

文艺;李琦;罗乐;陆诗维;张昭阳;

摘要(Abstract):

为了提高SOI LDMOS的击穿电压和降低导通电阻,提出了一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构。该结构由上下反向堆叠的两部分构成,上半部分提供额外的电流路径,以增大输出电流,下半部分引入等间距电荷岛,以提高击穿电压。Silvaco TCAD的二维器件结构仿真结果表明:相比于常规SOI LDMOS结构,击穿电压从210V提高到600V,提高幅度达到185%;与常规电荷岛SOI LDMOS结构相比,导通电阻从35.3Ω·mm2降低到26.4Ω·mm2,下降了约25%。

关键词(KeyWords): 顶层电流路径;电荷岛;等间距;击穿电压;SOI功率器件

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(61361011,61274077,61464003);; 广西自然科学基金(2013GXNSFAA019335,2015GXNSFAA139300);; 桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2017YJCX40)

作者(Author): 文艺;李琦;罗乐;陆诗维;张昭阳;

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